Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы - 1070119


Фотография технологии микроэлектроники. химическое осаждение из газовой фазы
Купить
Описание - проведена классификация процессов и оборудования химического осаждения из газовой фазы (хогф), используемых в технологии производства интегральных микросхем (имс), и показаны тенденции их развития. приведены основные характеристики элементов микроструктур имс, получаемых в процессах хогф, а также технологические характеристики самих процессов и используемых реагентов. рассмотрены параметры оборудования для реализации процессов хогф и проведен анализ его возможностей, достоинств и недостатков при осаждении функциональных слоев микросхем. приведены основные электрофизические характеристики осаждаемых пленок. для инженеров-технологов и научных работников, использующих в своей практической работе химическое осаждение пленок из газовой фазы. книга может быть полезна также студентам старших курсов, аспирантам и преподавателям вузов.